Gole 8 Gbit 512Mx16 de IC da memória Flash de MT40A512M16HA-083E

Descrição de produto

MT40A512M16HA-083E: Uma GOLE SDRAM da memória CI - bandeja de DDR4 SMD/SMT

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV

• Em-dado, geração interna, ajustável de VREFDQ

• I/O pseudo- do aberto-dreno 1.2V

• Refresque uma época do ciclo 8192 na variação da temperatura do TC: – 64ms em -40°C a 85°C – 32ms em >85°C a 95°C – 16ms em >95°C a 105°C

• 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada um

• 8 bancos internos (x16): 2 grupos de 4 bancos cada um

• arquitetura do prefetch 8n-bit

• Preâmbulos programáveis do estroboscópio dos dados

• Treinamento do preâmbulo do estroboscópio dos dados

• Latência do comando/endereço (CAL)

• Registro de múltiplos propósitos LIDO e PARA ESCREVER a capacidade

• Nivelamento Write • O auto refresca o modo

• O auto auto da baixa potência refresca (LPASR)

• A temperatura controlada refresca (TCR)

• A granulosidade fina refresca

• O auto refresca o aborto

• Economia de poder máxima

• Calibração do motorista da saída

• Substantivo, parque, e terminação dinâmica do em-dado (ODT)

• Inversão do ônibus de dados (DBI) para o ônibus de dados

• Comando/paridade do endereço (CA)

• Databus escreve a verificação de redundância cíclica (o centro de detecção e de controlo)

• Endereçabilidade de Por-GOLE

• Teste da conectividade

• JEDEC JESD-79-4 complacente

• capacidade do sPPR e do hPPR