Chip de memória 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V de SRAM 2Mb EMMC

Descrição de produto

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

CARACTERÍSTICAS

• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10 ns

• Atual de funcionamento: 50mA (tipo.)

• Corrente à espera: 700µA (tipo.)

• Pinos múltiplos do poder e da terra do centro para a maior imunidade de ruído

• Expansão de memória fácil com opções do CE e do OE

• Poder-para baixo do CE

• Entradas e saídas compatíveis de TTL

• Única fonte de alimentação 3.3V

• Pacotes disponíveis: – pino 36 SOJ de 400 mil. – 44 pino TSOP (tipo II)

• Disponível sem chumbo

DESCRIÇÃO

O ISSI IS61LV2568L é uma muito de alta velocidade, baixa potência, palavra 262.144 por CMOS de 8 bits RAM estático. O IS61LV2568L é fabricado usando a tecnologia de capacidade elevada do CMOS de ISSI.

Este processo altamente confiável acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, rende dispositivos do consumo de um desempenho mais alto e de uma baixa potência. Quando o CE for ALTAMENTE (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo a 36mW (máximo) com níveis de entrada do CMOS.

O IS61LV2568L opera-se de uma única fonte de alimentação 3.3V e todas as entradas são TTL-compatíveis. O IS61LV2568L está disponível no pino 36 SOJ de 400 mil. e 44 pacotes do pino TSOP (tipo II).