Armazenamento de dados Magnetoresistive da memória da memória de acesso aleatório MRAM de MR0A08BCYS35 MRAM

Descrição de produto

Armazenamento de dados Magnetoresistive da memória da memória de acesso aleatório MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

BENEFÍCIOS DAS CARACTERÍSTICAS

• Uma memória substitui o FLASH, o SRAM, o EEPROM e o MRAM no sistema para um projeto mais simples, mais eficiente

• Melhora a confiança substituindo SRAM bateria-suportado

• Fonte de uma alimentação de 3,3 volts

• Rapidamente ciclo de leitura/gravação de 35 ns

• Sincronismo compatível de SRAM

• Não-volatilidade nativa

• Lida ilimitada & para escrever a resistência

• Dados sempre permanentes pelos anos >20 na temperatura

• Temperaturas comerciais e industriais

• Todos os produtos encontram o nível da sensibilidade de umidade MSL-3

• Pacotes RoHS-complacentes de TSOP2 e de BGA

BENEFÍCIOS

• Uma memória substitui o FLASH, o SRAM, o EEPROM e o MRAM no sistema para um projeto mais simples, mais eficiente

• Melhora a confiança substituindo SRAM bateria-suportado