Walton Electronics Co., Ltd.

Os circuitos integrados Rs-422 de AM26C32IPWR Eletronic conectam a linha microplaquetas eletrônicas da diferença do quadrilátero de IC do receptor de Rcvr

Detalhes do produto:
Lugar de origem: original
Marca: Original
Número do modelo: AM26C32IPWR
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10PCS
Preço: Contact us to win best price
Detalhes da embalagem: Padrão
Tempo de entrega: 1-3workdays
Termos de pagamento: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10000pcs/months
  • Informação detalhada
  • Descrição de produto

Informação detalhada

Descrição do produto: Circuito integrado da relação RS-422 Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caso: TSSOP-16 Série: AM26C32
Taxa de dados: 10 Mb/s Empacotamento: a fita/MouseReel bienais do corte do carretel
Peso de unidade: magnésio 62
Realçar:

Circuitos integrados de AM26C32IPWR

,

10 relação IC de Mb/s Rs-422

Descrição de produto

AM26C32 linha diferencial quádrupla receptor

 

Características 1

 

• Cumpre ou excede as exigências da recomendação V.10 e V.11 do ANSI TIA/EIA-422-B, do TIA/EIA-423-B, e da UIT
• Baixa potência, ICC = 10 miliampères típica

• escala do Comum-modo de ±7-V com sensibilidade de ±200-mV
• Histerese entrada: 60 milivolt típicos
• tpd = 17 ns típicos

• Opera-se de uma única fonte 5-V

• saídas 3-State
• Circuitos à prova de falhas entrados
• Substituições melhoradas para o dispositivo AM26LS32
• Disponível no Q-Temp automotivo


2 aplicações


• Aplicações automotivos da Alto-confiança
• Automatização de fábrica
• Contadores do ATM e de dinheiro
• Grade esperta
• Movimentações da C.A. e do servo motor

 

Descrição 3

 

O dispositivo AM26C32 é uma linha diferencial quádrupla receptor para transmissão de dados digitais equilibrada ou desequilibrada. Permita a função é comum a todos os quatro receptores e oferece uma escolha da entrada ativo-alta ou ativo-baixa.

As 3 saídas do estado permitem a conexão diretamente a um sistema busorganized. O projeto à prova de falhas especifica que se as entradas estão abertas, as saídas são sempre altas.

Os dispositivos AM26C32 são fabricados usando um processo de BiCMOS, que seja uma combinação de transistor bipolares e do CMOS. Este processo fornece a alta tensão e a corrente de bipolar a baixa potência do CMOS reduzir o consumo de potência a aproximadamente um quinto isso do AM26LS32 padrão, ao manter o desempenho da C.A. e da C.C.
Informação do dispositivo (1)

 

 

Pin Functions

PIN

 

I/O

 

DESCRIÇÃO

NOME

LCCC

SOIC, PDIP, ASSIM, TSSOP, CFP, ou CDIP

1A

3

2

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (noninverting)

1B

2

1

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (inverter)

1Y

4

3

O

Saída do nível da lógica

2A

8

6

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (noninverting)

2B

9

7

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (inverter)

2Y

7

5

O

Saída do nível da lógica

3A

13

10

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (noninverting)

3B

12

9

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (inverter)

3Y

14

11

O

Saída do nível da lógica

4A

18

14

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (noninverting)

4B

19

15

Mim

Entrada RS422/RS485 diferencial (inverter)

4Y

17

13

O

Saída do nível da lógica

G

5

4

Mim

Ativo-alto selecione

G

15

12

Mim

Ativo-baixo selecione

Terra

10

8

Terra

 

NC (1)

1

 

 

 

 

 

 

Não conecte

6

11

16

VCC

20

16

Fonte de alimentação

(1) NC – nenhuma conexão interna.

 

Especificações

 

4,1 avaliações máximas absolutas

sobre a variação da temperatura de funcionamento do livre-ar (salvo disposição em contrário) (1)
  MINUTO MAX UNIDADE
VCC tensão de fonte (2) 7 V
VI tensão entrada Entradas ou de B – 11 14

 

V

Entradas de G ou de G – 0,5 VCC + 0,5
Tensão de entrada diferencial de VID – 14 14 V
Tensão da saída do Vo – 0,5 VCC + 0,5 V
Corrente de saída do IO ±25 miliampère
Temperatura de armazenamento de Tstg -65 150 °C

(1) os esforços além daqueles alistados sob avaliações máximas absolutas podem causar dano permanente ao dispositivo. Estas são as avaliações do esforço somente, que não implicam a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições além daqueles indicados sob condições operacionais recomendadas. A exposição às condições absoluto-máximo-avaliados por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

(2) todos os valores da tensão, exceto tensões diferenciais, são no que diz respeito ao terminal de terra da rede.

 

 

4,1 avaliações do ESD

  VALOR UNIDADE

 

Descarga eletrostática de V (ESD)

Modelo do corpo humano (HBM), por ANSI/ESDA/JEDEC JS- 001(1) ±3000

 

V

modelo do Carregar-dispositivo (CDM), pela especificação JESD22- C de JEDEC 101(2) ±2000

(1) o documento JEP155 de JEDEC indica que 500-V HBM permite a fabricação segura com um processo padrão do controle do ESD.

(2) o documento JEP157 de JEDEC indica que 250-V CDM permite a fabricação segura com um processo padrão do controle do ESD.

 

4,2 condições operacionais recomendadas

sobre a variação da temperatura de funcionamento do livre-ar (salvo disposição em contrário)
  MINUTO NOM Max UNIDADE
VCC Tensão de fonte   4,5 5 5,5 V
VIH Tensão de entrada de nível elevado   2   Vcc V
VIL Tensão de entrada de baixo nível   0   0,8 V
VIC tensão de entrada do Comum-modo   -7   +7 V
IOH Corrente de saída de nível elevado   – 6 miliampère
IOL Corrente de saída de baixo nível   6 miliampère

 

 

Ta

 

 

Temperatura de funcionamento do livre-ar

AM26C32C 0   70

 

 

°C

AM26C32I – 40   85
AM26C32Q – 40   125
AM26C32M – 55   125

 

4,3 informação térmica

 

MÉTRICA TÉRMICA (1)

AM26C32

 

UNIDADE

D (SOIC) N (PDIP) NS (ASSIM) PICOWATT (TSSOP)
16 PINOS 16 PINOS 16 PINOS 16 PINOS
Resistência térmica Junção-à-ambiental de RθJA 73 67 64 108 °C/W

(1) para obter mais informações sobre do medidor térmico tradicional e novo, veja o relatório térmico da aplicação do medidor do semicondutor e do pacote de IC, SPRA953.

 

4,1 características elétricas

sobre a variação da temperatura de funcionamento do livre-ar (salvo disposição em contrário)
PARÂMETRO CONDIÇÕES DE TESTE MINUTO TIPO (1) Max UNIDADE
VIT+ Tensão diferencial do alto-ponto inicial da entrada

Vo = VOH (minuto), IOH = – 440

µA

VIC = – 7 V a 7 V 0,2

 

V

VIC = 0 V a 5,5 V 0,1
VIT- Tensão diferencial do baixo-ponto inicial da entrada Vo = 0,45 V, IOL = 8 miliampères VIC = – 7 V a 7 V – 0.2(2)

 

V

VIC = 0 V a 5,5 V – 0.1(2)
Vhys Tensão da histerese (VIT +− de VIT)   60 milivolt
VIK Permita a tensão da braçadeira da entrada VCC = 4,5 V, II = – 18 miliampères – 1,5 V
VOH Tensão de nível elevado da saída VID = 200 milivolt, IOH = – 6 miliampères 3,8 V
VOL Tensão de baixo nível da saída VID = – 200 milivolt, IOL = 6 miliampères   0,2 0,3 V
IOZ corrente de saída do Fora-estado (estado da alto-impedância) Vo = VCC ou terra   ±0.5 ±5 µA
II

 

Linha corrente de entrada

VI = 10 V, a outra entrada em 0 V 1,5 miliampère
VI = – 10 V, a outra entrada em 0 V – 2,5 miliampère
IIH O alto nível permite atual VI = 2,7 V 20 μA
MAL De baixo nível permita a corrente VI = 0,4 V – 100 μA
ri Resistência entrada Uma entrada a moer 12 17  
ICC Corrente quieta da fonte VCC = 5,5 V   10 15 miliampère

(1) todos os valores típicos estão em VCC = 5 V, VIC = 0, e Ta = 25°C.

(2) a convenção algébrica, em que menos o limite do positivo (mais negativo) é designado mínimo, é usada nesta folha de dados para a tensão de entrada comum do modo.

 

4,1 características de comutação

sobre a variação da temperatura de funcionamento do livre-ar, CL = 50 PF (salvo disposição em contrário)

 

PARÂMETRO

 

CONDIÇÕES DE TESTE

AM26C32C AM26C32I AM26C32Q AM26C32M

 

UNIDADE

MINUTO TIPO (1) Max MINUTO TIPO (1) Max
tPLH Tempo de atraso da propagação, baixo à saída de nível elevado

 

 

Veja figura 2

9 17 27 9 17 27 ns
tPHL Tempo de atraso da propagação, alto à saída de baixo nível 9 17 27 9 17 27 ns
tTLH Tempo de transição da saída, baixo à saída de nível elevado

 

 

Veja figura 2

  4 9   4 10 ns
tTHL Tempo de transição da saída, alto à saída de baixo nível   4 9   4 9 ns
tPZH A saída permite o tempo ao alto nível

 

Veja figura 3

  13 22   13 22 ns
tPZL A saída permite o tempo a de baixo nível   13 22   13 22 ns
tPHZ Tempo de inutilização de saída do alto nível

 

Veja figura 3

  13 22   13 26 ns
tPLZ Tempo de inutilização de saída de baixo nível   13 22   13 25 ns

(1) todos os valores típicos estão em VCC = 5 V, Ta = 25°C.

 

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