Walton Electronics Co., Ltd.

MOSFET discreto dos transistor dos semicondutores dos semicondutores de IPD350N06LG

Detalhes do produto:
Lugar de origem: original
Marca: Original
Certificação: ISO9001:2015standard
Número do modelo: IPD350N06LG
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact us to win best offer
Detalhes da embalagem: Padrão
Tempo de entrega: 1-3workdays
Termos de pagamento: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10000pcs/months
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Informação detalhada

Pacote: TO-252-3 Montando o estilo: SMD/SMT
D/C: Mais novo CIRCUNSTÂNCIA: Brandnew e original
prazo de execução: no estoque
Realçar:

Transistor IPD350N06LG do Mosfet

,

Transistor dos semicondutores de 1 Mosfet do canal de N

,

Mosfet IPD350N06LG do realce

Descrição de produto

Atributo de produto Valor de atributo
MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-canal
1 canal
60 V
29 A
35 mOhms
- 20 V, + 20 V
1,2 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Realce
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Configuração: Único
Tempo de queda: 20 ns
Altura: 2,3 milímetros
Comprimento: 6,5 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de elevação: 21 ns
Série: OptiMOS 2
2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo do transistor: 1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora: 29 ns
Tempo de atraso de ligação típico: 6 ns
Largura: 6,22 milímetros
Parte # pseudônimos: IPD35N6LGXT SP000443746 IPD350N06LGBTMA1
Peso de unidade: 0,139332 onças

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