Descrição de produto
Original bipolar do si dos transistor de MRF9045LR1TRANSISTORS RF no estoque
O ASI MRF9045LR1 está a uma alta tensão, ouro-metalizada,
semicondutor de óxido de metal lateralmente difundido. Ideal para de hoje
Aplicações do amplificador de potência do RF.
|
Transistor do MOSFET do RF |
| RoHS: |
Detalhes |
|
N-canal |
|
Si |
|
4,25 A |
|
65 V |
|
945 megahertz |
|
DB 18,8 |
|
60 W |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Bandeja |
| Configuração: |
Único |
| Transcondutância dianteira - minuto: |
3 S |
| Paládio - dissipação de poder: |
117 W |
| Tipo de produto: |
Transistor do MOSFET do RF |
| Subcategoria: |
MOSFETs |
| Tipo: |
MOSFET do poder do RF |
| Vgs - tensão da Porta-fonte: |
15 V |
| Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: |
4,8 V |
| Peso de unidade: |
0,032480 onças |
Dois típicos•
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteção integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parâmetros da impedância do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteção integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parâmetros da impedância do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteção integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parâmetros da impedância do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteção integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parâmetros da impedância do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Dados do dispositivo RF
Semicondutor de Freescale
Transistor de efeito de campo do poder do RF
N
−
Realce do canal
−
MOSFETs laterais do modo
Projetado
para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com frequen-
cies até 1000 megahertz. GA alto
em e desempenho de faixa larga destes
os dispositivos fazem-nos ideais para grande
−
sinal, comum
−
applica- do amplificador da fonte
tions no equipamento da estação base de 28 volts.
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteção integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parâmetros da impedância do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Não
